circuito integrado

Un circuito integrado es un dispositivo o componente electrónico en miniatura. Se utiliza un determinado proceso para interconectar los transistores, resistencias, condensadores, inductores y otros componentes y cableado necesarios en un circuito, fabricar en pequeñas o varias obleas semiconductoras pequeñas o sustratos dieléctricos, y luego empaquetarlos en un paquete, se convierte en un micro estructura con la función de circuito requerida
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  • El dispositivo XCVU5P-2FLVA2104I Virtex UltraScale+es un FPGA de alto rendimiento basado en nodos FINFET de 14 nm/16 nm, que admite tecnología 3D IC y varias aplicaciones computacionalmente intensivas.

  • XCVU7P-1FLVA2104I es un IC Virtex ® UltraScale+Field Programmable Gate Array (FPGA), con el mayor rendimiento y la funcionalidad integrada. El 3D IC de tercera generación de AMD utiliza tecnología de interconexión de silicio apilada (SSI) para romper las limitaciones de la ley de Moore y lograr el mayor procesamiento de señales y el ancho de banda de E/S en serie para cumplir con los requisitos de diseño más estrictos.

  • XCVU13P-3FHGC2104E Virtex ™ UltraScale+™ Como la serie FPGA más potente de la industria, los dispositivos UltraScale+son la opción perfecta para aplicaciones computacionalmente intensivas, que van desde redes 1+TB/S, aprendizaje automático hasta sistemas de radar/advertencia.

  • XCVU7P-L2FLVB2104E El dispositivo proporciona el rendimiento más alto y la funcionalidad integrada en el nodo FINFET de 14 nm/16 nm. La IC 3D de tercera generación de AMD utiliza tecnología de interconexión de silicio apilada (SSI) para romper las limitaciones de la ley de Moore y lograr el mayor procesamiento de señales y el ancho de banda de E/S en serie para cumplir con los requisitos de diseño más estrictos

  • Los dispositivos FPGA XCVU11P-3FLGB2104E Virtex ™ UltraScale+ ™ proporcionan el rendimiento más alto y la funcionalidad integrada en nodos FINFET de 14 nm/16 nm.

  • El dispositivo FPGA XCVU11P-1FLGC2104E proporciona el rendimiento más alto y la funcionalidad integrada en un nodo FINFET de 14 nm/16nm.

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