MT29F4G08ABBDAH4-ES:D

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MT29F4G08ABBDAH4-IT:D El dispositivo flash Micron NAND incluye una interfaz de datos asíncrona para operaciones de E/S de alto rendimiento. Estos dispositivos utilizan un bus de 8 bits (I/Ox) altamente multiplexado para transmitir comandos, direcciones y datos.

Modelo:MT29F4G08ABBDAH4-IT:D

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Descripción del Producto

MT29F4G08ABBDAH4-IT:D El dispositivo flash Micron NAND incluye una interfaz de datos asíncrona para operaciones de E/S de alto rendimiento. Estos dispositivos utilizan un bus de 8 bits (I/Ox) altamente multiplexado para transmitir comandos, direcciones y datos.

Parámetros de especificación:

Tipo de producto: memoria flash NAND

Estilo de instalación: SMD/SMT

Paquete/Caja: VFBGA-63

Serie: MT29F

Capacidad de almacenamiento: 4 Gbit

Tipo de interfaz: paralelo

Organización: 512 M x 8

Tipo de sincronización: asíncrono

Ancho del bus de datos: 8 bits

Tensión de alimentación - mínima: 1,7 V

Tensión de alimentación - máxima: 1,95 V

Corriente de alimentación - valor máximo: 35 mA

Temperatura mínima de funcionamiento: -40 °C


Temperatura máxima de trabajo:+85 C

Tipo de almacenamiento: NAND

Sensibilidad a la humedad: Sí

Producto: Flash NAND

Tipo de producto: Flash NAND

Estándar: no compatible

Cantidad de embalaje de fábrica: 1000

Subcategoría: Memoria y almacenamiento de datos Tipo: Sin bloque de arranque

Unit weight: 752.895 mg


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