MT29F4G08ABBDAH4-IT:D El dispositivo flash Micron NAND incluye una interfaz de datos asíncrona para operaciones de E/S de alto rendimiento. Estos dispositivos utilizan un bus de 8 bits (I/Ox) altamente multiplexado para transmitir comandos, direcciones y datos.
MT29F4G08ABBDAH4-IT:D El dispositivo flash Micron NAND incluye una interfaz de datos asíncrona para operaciones de E/S de alto rendimiento. Estos dispositivos utilizan un bus de 8 bits (I/Ox) altamente multiplexado para transmitir comandos, direcciones y datos.
Parámetros de especificación:
Tipo de producto: memoria flash NAND
Estilo de instalación: SMD/SMT
Paquete/Caja: VFBGA-63
Serie: MT29F
Capacidad de almacenamiento: 4 Gbit
Tipo de interfaz: paralelo
Organización: 512 M x 8
Tipo de sincronización: asíncrono
Ancho del bus de datos: 8 bits
Tensión de alimentación - mínima: 1,7 V
Tensión de alimentación - máxima: 1,95 V
Corriente de alimentación - valor máximo: 35 mA
Temperatura mínima de funcionamiento: -40 °C
Temperatura máxima de trabajo:+85 C
Tipo de almacenamiento: NAND
Sensibilidad a la humedad: Sí
Producto: Flash NAND
Tipo de producto: Flash NAND
Estándar: no compatible
Cantidad de embalaje de fábrica: 1000
Subcategoría: Memoria y almacenamiento de datos Tipo: Sin bloque de arranque
Unit weight: 752.895 mg
